HY27UF082G2B-TPCB

Запросить




HY27UF082G2B-TPCB характеристики

Флеш память, 2 ГБ, 256М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов).



The HY27UF082G2B-TPCB is a 8-bit 2GB NAND Flash IC. The device is offered in 3.3V Vcc power supply and with x8 and x16 I/O interface Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The device contains 2048 blocks, composed by 64 pages. A program operation allows to write the 2112-byte page in typical 200us and an erase operation can be performed in typical 1.5ms on a 128kB block. Data in the page can be read out at 25ns cycle time per byte(x8). The I/O pins serve as the ports for address and data input/output as well as command input. This interface allows a reduced pin count and easy migration towards different densities, without any rearrangement of footprint. Commands, Data and Addresses are synchronously introduced using CE, WE, RE, ALE and CLE input pin.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 48вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура 0°C
Максимальная Рабочая Температура 70°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Размер Памяти 2ГБ
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Тип Памяти Флэш - И-НЕ
Тактовая Частота -
Время Доступа 20нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP
Конфигурация Флэш-памяти 256М x 8бит

Вы можете купить HY27UF082G2B-TPCB от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену HY27UF082G2B-TPCB и наличие сообщим по вашему запросу.