VNP10N07-E





VNP10N07-E характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 70 В, 100 мОм, 10 В, 3 В.



The VNP10N07-E is a monolithic device fully auto protected Power MOSFET with ESD protection. The VNP10N07 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50kHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Рассеиваемая Мощность 50Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.1Ом
Напряжение Истока-стока Vds 70В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Непрерывный Ток Стока 10А

Техническое описание

Вы можете купить VNP10N07-E от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 3888 штук. Цена VNP10N07-E зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 615.44 руб.