SI4532CDY-T1-GE3

Запросить




SI4532CDY-T1-GE3 характеристики

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 38 мОм, 10 В, 1 В.



The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

подробнее

Полярность Транзистора N и P Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.038Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 2.78Вт
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный

Техническое описание

Вы можете купить SI4532CDY-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI4532CDY-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.