SI7898DP-T1-E3

Запросить




SI7898DP-T1-E3 характеристики

N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.8A, SOIC.




Полярность Транзистора N Channel
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 4.8А
Напряжение Истока-стока Vds 150В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.095Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 20В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 5Вт
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Unlimited

Техническое описание

Вы можете купить SI7898DP-T1-E3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI7898DP-T1-E3 и наличие сообщим по вашему запросу.