IRFB5615PBF





IRFB5615PBF характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 150 В, 32 мОм, 10 В, 3 В.



The IRFB5615PBF is a 150V single N-channel Digital Audio HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. It is specially designed for class D audio amplifier applications. Gate charge, body diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. It features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for class-D audio amplifier applications.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Рассеиваемая Мощность 144Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.032Ом
Напряжение Истока-стока Vds 150В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Непрерывный Ток Стока 35А

Техническое описание

Вы можете купить IRFB5615PBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 258 штук. Цена IRFB5615PBF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 560.56 руб.