SI7958DP-T1-GE3

Запросить




SI7958DP-T1-GE3 характеристики

DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A.




Полярность Транзистора Dual N Channel
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 11.3А
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.02Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.4Вт
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Unlimited

Вы можете купить SI7958DP-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI7958DP-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.