SI2315BDS-T1-GE3

Запросить




SI2315BDS-T1-GE3 характеристики

P CHANNEL MOSFET.




Полярность Транзистора P Channel
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока -3А
Напряжение Истока-стока Vds -12В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.04Ом
Напряжение Измерения Rds(on) -4.5В
Пороговое Напряжение Vgs -900мВ
Рассеиваемая Мощность 750мВт
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -

Техническое описание

Вы можете купить SI2315BDS-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI2315BDS-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.