IS42S16160G-7BLI

Запросить




IS42S16160G-7BLI характеристики

SDRAM, SDR, 256MBIT, 3.3V, 54BGA.



The IS42S16160G-7BLI is a 256Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 256Mb SDRAM is organized as 4M x16x4 banks, 54-pin TSOPII and 54-ball BGA. The 256Mb SDRAM is a high speed CMOS, dynamic random-access memory designed to operate in 3.3V Vdd and 3.3V Vddq memory systems containing 268,435,456 bits. Internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface. Each 67,108,864-bit bank is organized as 8,192 rows by 512 columns by 16 bits or 8,192 rows by 1,024 columns by 8 bits. The 256Mb SDRAM includes an AUTO REFRESH MODE and a power-saving, power-down mode. All signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK. All inputs and outputs are LVTTL compatible.

подробнее

Конфигурация памяти DRAM 16М x 16бит
Ничего не выбрано
Время Доступа 7нс
Размер Страницы -
Количество Выводов 54вывод(-ов)
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти BGA
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Тип Интерфейса ИС LVTTL
Упаковка Поштучно
Тип Памяти DRAM - Синхронная
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов

Техническое описание

Вы можете купить IS42S16160G-7BLI от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену IS42S16160G-7BLI и наличие сообщим по вашему запросу.