SIHB12N60E-GE3

Запросить




SIHB12N60E-GE3 характеристики

MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-263-3.




Полярность Транзистора N Channel
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 12А
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.32Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 147Вт
Стиль Корпуса Транзистора TO-263
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Unlimited

Техническое описание

Вы можете купить SIHB12N60E-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SIHB12N60E-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.