IPB107N20N3 G

Запросить




IPB107N20N3 G характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 88 А, 200 В, 0.0096 Ом, 10 В, 3 В.



The IPB107N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

подробнее

Полярность Транзистора N Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 88А
Напряжение Истока-стока Vds 200В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0096Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 300Вт
Стиль Корпуса Транзистора TO-263
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный

Вы можете купить IPB107N20N3 G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену IPB107N20N3 G и наличие сообщим по вашему запросу.