IXFH58N20

Запросить




IXFH58N20 характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 200 В, 40 мОм, 10 В, 4 В.



The IXFH58N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Рассеиваемая Мощность 300Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.04Ом
Напряжение Истока-стока Vds 200В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Непрерывный Ток Стока 58А

Техническое описание

Вы можете купить IXFH58N20 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену IXFH58N20 и наличие сообщим по вашему запросу.