M29W320DT70N6E

Запросить




M29W320DT70N6E характеристики

Флеш память, блок загрузки, 32 Мбит, 4М x 8бит / 2М x 16бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов).



The M29W320DT70N6E is a 32Mb non-uniform 3V supply Flash Memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage 2.7 to 3.6V supply. On power-up the memory defaults to its read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. Each block can be protected independently to prevent accidental program or erase commands from modifying the memory. Program and erase commands are written to the command interface of the memory. An on-chip program/erase controller simplifies the process of programming or erasing the memory by taking care of all of the special operations that are required to update the memory contents. The end of a program or erase operation can be detected and any error conditions identified. The command set required to control the memory is consistent with JEDEC standards.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 48вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Размер Памяти 32Мбит
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Тип Памяти Флэш
Тактовая Частота -
Время Доступа 70нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP
Конфигурация Флэш-памяти 4М x 8бит / 2М x 16бит

Техническое описание

Вы можете купить M29W320DT70N6E от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену M29W320DT70N6E и наличие сообщим по вашему запросу.