8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: ERJ3EKF2202V
Отправить заявку

SPB80P06P G

SPB80P06P G


Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.





SPB80P06P G характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -80 А, -60 В, 0.021 Ом, -10 В, -3 В.



The SPB80P06P G is a -60V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Стиль Корпуса Транзистора TO-263
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 340Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.021Ом
Напряжение Истока-стока Vds -60В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -3В
Непрерывный Ток Стока -80А

Вы можете купить SPB80P06P G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 17107 штук. Цена SPB80P06P G зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 663.6 руб.



Сопутствующие товары
IR2110SPBF IR2110SPBF
INFINEON
Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 2.5А, задержка 94нс, SOIC-16
от 332.64 ₽
+2245.32 на ваш счёт